IGD10N65T6ARMA1
- Производитель-деталь №
- IGD10N65T6ARMA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- IGD10N65T6ARMA1
- Описание
- IGD10N65T6ARMA1
- lang_0071
- 2990
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Infineon Technologies
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 23 A
- Current - Collector Pulsed (Icm) :
- 42.5 A
- Gate Charge :
- 27 nC
- IGBT Type :
- Trench Field Stop
- Input Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Power - Max :
- 75 W
- Product Status :
- Not For New Designs
- Reverse Recovery Time (trr) :
- -
- Supplier Device Package :
- PG-TO252-3
- Switching Energy :
- 200µJ (on), 70µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C :
- 30ns/106ns
- Test Condition :
- 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
- 1.9V @ 15V, 8.5A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 650 V
- lang_0258
- IGD10N65T6ARMA1
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
IGD15N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | 2,713 | IGD15N65T6ARMA1 |