SGS10N60RUFDTU

Производитель-деталь №
SGS10N60RUFDTU
Производитель
Fairchild Semiconductor
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
SGS10N60RUFDTU
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
lang_0071
86384

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Fairchild Semiconductor
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
30 A
Gate Charge :
30 nC
IGBT Type :
-
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3 Full Pack
Power - Max :
55 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
60 ns
Supplier Device Package :
TO-220F-3
Switching Energy :
141µJ (on), 215µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
15ns/36ns
Test Condition :
300V, 10A, 20Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.8V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
lang_0258
SGS10N60RUFDTU

Продукты, связанные с производителем

  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 15.3VWM 25.5VC DO214AC
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO204AC
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO204AC
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO15
  • Fairchild Semiconductor
    TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO15

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
SGS10N60RUFDTU onsemi 35,000 IGBT 600V 16A TO220F
SGS10N60RUFTU Fairchild Semiconductor 10,843 IGBT, 16A, 600V, N-CHANNEL
SGS10N60RUFTU onsemi 35,000 IGBT 600V 16A 55W TO220F
SGS13N60UFDTU Fairchild Semiconductor 117,920 IGBT, 13A, 600V, N-CHANNEL
SGS13N60UFDTU onsemi 35,000 IGBT 600V 13A 45W TO220F