IGP01N120H2

Производитель-деталь №
IGP01N120H2
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
IGP01N120H2
Описание
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
lang_0071
13000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
3.2 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
3.5 A
Gate Charge :
8.6 nC
IGBT Type :
-
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Power - Max :
28 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
PG-TO220-3-1
Switching Energy :
140µJ
Td (on/off) @ 25°C :
13ns/370ns
Test Condition :
800V, 1A, 241Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.8V @ 15V, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
lang_0258
IGP01N120H2

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IGP01N120H2XKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
IGP01N120H2XKSA1036 Infineon Technologies 35,000 IGP01N120 - DISCRETE IGBT WITHOU
IGP03N120H2 Infineon Technologies 35,000 IGBT, 9.6A, 1200V, N-CHANNEL
IGP03N120H2XKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
IGP06N60TATMA1 Infineon Technologies 10,500 IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
IGP06N60TXKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO220-3