FAM65HR51DS2

Производитель-деталь №
FAM65HR51DS2
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FAM65HR51DS2
Описание
IGBT MODULE 650V 33A 135W
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Modules
Configuration :
Half Bridge Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) :
33 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
-
IGBT Type :
-
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
4.86 nF @ 400 V
Mounting Type :
Through Hole
NTC Thermistor :
No
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
-
Power - Max :
135 W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
650 V
lang_0258
FAM65HR51DS2

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FAM65CR51ADZ2 onsemi 35,000 POWER INTEGRATED MODULE (PIM) BO
FAM65CR51AXZ1 onsemi 35,000 APM16 SF3 FRFET & SIC DIODE 51MO
FAM65CR51AXZ2 onsemi 35,000 APM16 SF3 FRFET & SIC DIODE 51MO
FAM65CR51DZ2 onsemi 35,000 IGBT MOD 650V 33A 160W APMCD-B16
FAM65HR51XS1 onsemi 35,000 APM16 CAA H-BRIDGE SF3 FRFET 51M
FAM65HR51XS2 onsemi 35,000 APM16 CAA H-BRIDGE SF3 FRFET 51M
FAM65V05DF1 onsemi 60 AUTO PWR MODUL 650V 50A 27PWRDIP