BYM300B170DN2HOSA1
- Производитель-деталь №
- BYM300B170DN2HOSA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- BYM300B170DN2HOSA1
- Описание
- IGBT MOD 650V 40A 20MW
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Infineon Technologies
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Modules
- Configuration :
- 2 Independent
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 40 A
- Current - Collector Cutoff (Max) :
- 40 µA
- IGBT Type :
- Trench Field Stop
- Input :
- Standard
- Input Capacitance (Cies) @ Vce :
- 2.8 nF @ 25 V
- Mounting Type :
- Chassis Mount
- NTC Thermistor :
- Yes
- Operating Temperature :
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- Module
- Power - Max :
- 20 mW
- Product Status :
- Obsolete
- Supplier Device Package :
- Module
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
- 1.55V @ 15V, 25A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 650 V
- lang_0258
- BYM300B170DN2HOSA1
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| BYM300A120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IGBT MOD 1200V 450A 1000W |
| BYM300A160DN13CHOSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | MODULE IGBT AG-62MM-2 |
| BYM357X,127 | NXP Semiconductors | 35,000 | DIODE STANDARD 1500V/600V TO220F |
| BYM358X,127 | NXP Semiconductors | 35,000 | DIODE STANDARD 1500V/600V TO220F |
| BYM359X-1500,127 | NXP Semiconductors | 35,000 | RF DIODE STANDARD 1500V TO220F |
| BYM36A-TAP | Vishay | 35,000 | DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 |
| BYM36B-TAP | Vishay | 35,000 | DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 |
| BYM36C-TAP | Vishay | 35,000 | DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 |
| BYM36D-TAP | Vishay | 35,000 | DIODE AVALANCHE 800V 2.9A SOD64 |
| BYM36E-TAP | Vishay | 683 | DIODE AVALANCHE 1KV 2.9A SOD64 |
| BYM36E-TR | Vishay | 35,000 | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD64 |
