FD-DF80R12W1H3_B52

Производитель-деталь №
FD-DF80R12W1H3_B52
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FD-DF80R12W1H3_B52
Описание
IGBT MOD 1200V 40A 215W
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Modules
Configuration :
Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
40 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
1 mA
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
235 nF @ 25 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
Yes
Operating Temperature :
-40°C ~ 125°C
Package / Case :
Module
Power - Max :
215 W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
lang_0258
FD-DF80R12W1H3_B52

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары