DDB2U50N08W1RB23BOMA2

Производитель-деталь №
DDB2U50N08W1RB23BOMA2
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
DDB2U50N08W1RB23BOMA2
Описание
IGBT MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Modules
Configuration :
2 Independent
Current - Collector (Ic) (Max) :
-
Current - Collector Cutoff (Max) :
-
IGBT Type :
-
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
14 nF @ 25 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
No
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
Module
Power - Max :
-
Product Status :
Obsolete
Supplier Device Package :
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
-

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies 21 LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311
DDB2U30N08VRBOMA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT MOD 600V 25A 83.5W
DDB2U30N08VRBOMA1307 Infineon Technologies 35,000 IGBT MODULE
DDB2U40N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies 24 LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311
DDB2U50N08W1RB23BOMA1 Infineon Technologies 35,000 MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies 4 LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311
DDB2U60N12W3RFC39BPSA1 Infineon Technologies 35,000 LOW POWER EASY