DF75R12W1H4FB11BOMA2

Производитель-деталь №
DF75R12W1H4FB11BOMA2
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
DF75R12W1H4FB11BOMA2
Описание
IGBT MOD 1200V 25A 20MW
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Modules
Configuration :
Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) :
25 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
1 mA
IGBT Type :
-
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
2 nF @ 25 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
Yes
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
Module
Power - Max :
20 mW
Product Status :
Last Time Buy
Supplier Device Package :
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.65V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
DF75AA160 Sansha Electric 35,000 DIOE MODULE 1600V 75A
DF75BA80 Sansha Electric 35,000 DIODE MODULE 800V 75A
DF75LA160 Sansha Electric 35,000 DIODE MODULE 1600V 75A
DF75LA80 Sansha Electric 35,000 DIOE MODULE 800V 75A
DF75LB160 Sansha Electric 35,000 DIODE MODULE 1600V 75A
DF75LB80 Sansha Electric 35,000 DIODE MODULE 800V 75A
DF75NB160 Sansha Electric 35,000 DIODE MODULE 1600V 75A
DF75R12W1H4FB11BOMA1 Infineon Technologies 35,000 MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1