NXH50C120L2C2ES1G

Производитель-деталь №
NXH50C120L2C2ES1G
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
NXH50C120L2C2ES1G
Описание
IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Modules
Configuration :
Three Phase Inverter with Brake
Current - Collector (Ic) (Max) :
50 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
250 µA
IGBT Type :
-
Input :
Three Phase Bridge Rectifier
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
11.89 nF @ 20 V
Mounting Type :
Through Hole
NTC Thermistor :
Yes
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max :
20 mW
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
26-DIP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
lang_0258
NXH50C120L2C2ES1G

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
NXH50C120L2C2ESG onsemi 8 IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
NXH50M65L4C2ESG onsemi 35,000 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS
NXH50M65L4C2SG onsemi 35,000 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS
NXH50M65L4Q1PTG onsemi 35,000 6KW H6.5 50A Q1PACK PRESS-FIT PI
NXH50M65L4Q1SG onsemi 35,000 Q1PACK 50A 650V
NXH5104UK/A1Z NXP Semiconductors 1,725 IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP