MSC280SMA120S

Производитель-деталь №
MSC280SMA120S
Производитель
Microsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
MSC280SMA120S
Описание
SICFET N-CH 1.2KV D3PAK
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Microsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
-
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Power Dissipation (Max) :
-
Product Status :
Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Supplier Device Package :
D3PAK
Technology :
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max) :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
-
lang_0258
MSC280SMA120S

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
MSC2295-BT1 onsemi 36,000 TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59
MSC2295-BT1G onsemi 35,000 RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
MSC2295-CT1 onsemi 35,000 RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
MSC2295-CT1G onsemi 35,000 RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
MSC250V108 NTE Electronics, Inc. 52 CAP ALUM 108UF 250V QC TERM
MSC250V124 NTE Electronics, Inc. 112 CAP ALUM 124UF 250V QC TERM
MSC250V130 NTE Electronics, Inc. 59 CAP ALUM 130UF 250V QC TERM
MSC250V145 NTE Electronics, Inc. 24 CAP ALUM 145UF 250V QC TERM
MSC250V161 NTE Electronics, Inc. 20 CAP ALUM 161UF 250V QC TERM
MSC250V189 NTE Electronics, Inc. 20 CAP ALUM 189UF 250V QC TERM
MSC250V21 NTE Electronics, Inc. 16 CAP ALUM 21UF 250V QC TERM
MSC250V216 NTE Electronics, Inc. 76 CAP ALUM 216UF 250V QC TERM
MSC250V233 NTE Electronics, Inc. 125 CAP ALUM 233UF 250V QC TERM
MSC250V25 NTE Electronics, Inc. 111 CAP ALUM 25UF 250V QC TERM
MSC250V270 NTE Electronics, Inc. 100 CAP ALUM 270UF 250V QC TERM