NVMS10P02R2G

Производитель-деталь №
NVMS10P02R2G
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
NVMS10P02R2G
Описание
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
-
FET Feature :
-
FET Type :
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-
Power Dissipation (Max) :
-
Product Status :
Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Supplier Device Package :
8-SOIC
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
-
lang_0258
NVMS10P02R2G

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
NVMS4816NR2G onsemi 35,000 MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
NVMS5P02R2G onsemi 5,180 MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
NVMSD6N303R2G onsemi 35,000 MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
NVMSTOR-ULTRA-1-1.5T Mobiveil Technologies 1 NVME SSD EVALUATION BOARD, 8 NAN