G30N02T
- Производитель-деталь №
- G30N02T
- Производитель
- Goford Semiconductor
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- G30N02T
- Описание
- N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.
- lang_0071
- 74
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Goford Semiconductor
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 30A (Ta)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 20 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- 4.5V
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- N-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 15 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 900 pF @ 10 V
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-220-3
- Power Dissipation (Max) :
- 40W (Ta)
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 13mOhm @ 20A, 4.5V
- Supplier Device Package :
- TO-220
- Technology :
- MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) :
- ±12V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 1.2V @ 250µA
- lang_0258
- G30N02T
