PMT200EPEA115

Производитель-деталь №
PMT200EPEA115
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
PMT200EPEA115
Описание
P-CHANNEL MOSFET
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
NXP Semiconductors
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
-
FET Feature :
-
FET Type :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-
Package / Case :
-
Power Dissipation (Max) :
-
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
-
Vgs (Max) :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
-
lang_0258
PMT200EPEA115

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
PMT200EN,115 NXP Semiconductors 35,000 MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
PMT200EN,135 NXP Semiconductors 35,000 MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
PMT200EPEAX Nexperia 35,000 MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223
PMT200EPEX Nexperia 35,000 MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223
PMT20G Carlo Gavazzi 35,000 SENSOR THROUGH-BEAM 20M
PMT20I Carlo Gavazzi 3 SENSOR THROUGH-BEAM 20M RELAY
PMT20IM Carlo Gavazzi 8 SENSOR THROUGH-BEAM 20M MUTE
PMT20RG Carlo Gavazzi 35,000 SENSOR THROUGH-BEAM 20M
PMT20RGT Carlo Gavazzi 35,000 SENSOR THROUGH-BEAM 20M
PMT20RI Carlo Gavazzi 2 SENSOR THROUGH-BEAM 20M RELAY
PMT20RIM Carlo Gavazzi 2 SENSOR THROUGH-BEAM 20M MUTE
PMT20RIT Carlo Gavazzi 35,000 SENSOR THROUGH-BEAM 20M
PMT21EN,115 Nexperia 35,000 MOSFET N-CH 30V 7.4A SOT223
PMT21EN,135 NXP Semiconductors 35,000 MOSFET N-CH 30V 7.4A SOT223
PMT280ENEA,115 Nexperia 35,000 1.5A, 100V, N CHANNEL, SILICON,