RSE002N06TL

Производитель-деталь №
RSE002N06TL
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
RSE002N06TL
Описание
MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
ROHM Semiconductor
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
15 pF @ 25 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
SC-75, SOT-416
Power Dissipation (Max) :
150mW (Ta)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Supplier Device Package :
EMT3
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
lang_0258
RSE002N06TL

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
RSE002P03TL ROHM Semiconductor 2,874 MOSFET P-CH 30V 200MA EMT3