STT5N2VH5
- Производитель-деталь №
- STT5N2VH5
- Производитель
- STMicroelectronics
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- STT5N2VH5
- Описание
- MOSFET N-CH 20V SOT23-6
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- STMicroelectronics
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 5A (Tj)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 20 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- 2.5V, 4.5V
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- N-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 4.6 nC @ 4.5 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 367 pF @ 16 V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- SOT-23-6
- Power Dissipation (Max) :
- 1.6W (Tc)
- Product Status :
- Not For New Designs
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 30mOhm @ 2A, 4.5V
- Supplier Device Package :
- SOT-23-6
- Technology :
- MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) :
- ±8V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 700mV @ 250µA (Min)
- lang_0258
- STT5N2VH5
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| STT5000N14P110XPSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | THYRISTOR/THYRISTORMODULES 110 M |
| STT5000N18P110XPSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | THYRISTOR/THYRISTORMODULES 110 M |
| STT5PF20V | STMicroelectronics | 35,000 | MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6 |









