RQ3C150BCTB
- Производитель-деталь №
- RQ3C150BCTB
- Производитель
- ROHM Semiconductor
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- RQ3C150BCTB
- Описание
- MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- ROHM Semiconductor
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 30A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 20 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- 4.5V
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- P-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 60 nC @ 4.5 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 4800 pF @ 10 V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 8-PowerVDFN
- Power Dissipation (Max) :
- 20W (Tc)
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
- Supplier Device Package :
- 8-HSMT (3.2x3)
- Technology :
- MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) :
- ±8V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 1.2V @ 1mA
- lang_0258
- RQ3C150BCTB
