SQ4064EY-T1_GE3

Производитель-деталь №
SQ4064EY-T1_GE3
Производитель
Vishay
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
SQ4064EY-T1_GE3
Описание
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Vishay
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
2096 pF @ 25 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max) :
6.8W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Supplier Device Package :
8-SOIC
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
lang_0258
SQ4064EY-T1_GE3

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
SQ4005EY-T1_BE3 Vishay 35,000 MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
SQ4005EY-T1_GE3 Vishay 2,484 MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
SQ4050EY-T1_BE3 Vishay 35,000 MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
SQ4050EY-T1_GE3 Vishay 35,000 MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
SQ4064EY-T1_BE3 Vishay 35,000 MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
SQ4080EY-T1_BE3 Vishay 2,476 N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
SQ4080EY-T1_GE3 Vishay 7,710 MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO