AFT18HW355SR5

Производитель-деталь №
AFT18HW355SR5
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
AFT18HW355SR5
Описание
RF N-CHANNEL POWER MOSFET
lang_0071
50

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
NXP Semiconductors
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
-
FET Feature :
-
FET Type :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-
Package / Case :
-
Power Dissipation (Max) :
-
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
-
Vgs (Max) :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
-
lang_0258
AFT18HW355SR5

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
AFT18H356-24SR6 NXP Semiconductors 35,000 FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4
AFT18H357-24NR6 Freescale Semiconductor 900 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
AFT18H357-24NR6 NXP Semiconductors 35,000 IC TRANS RF LDMOS
AFT18H357-24SR6 NXP Semiconductors 35,000 RF MOSFET LDMOS DL 28V NI1230-4
AFT18HW355SR5 Freescale Semiconductor 50 RF N CHANNEL POWER MOSFET
AFT18HW355SR5 NXP Semiconductors 35,000 FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4
AFT18HW355SR5,178 NXP Semiconductors 35,000 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
AFT18HW355SR6 NXP Semiconductors 35,000 FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4
AFT18P350-4S2LR6 NXP Semiconductors 35,000 FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
AFT18S230-12NR3 NXP Semiconductors 35,000 IC TRANS RF LDMOS
AFT18S230SR3 NXP Semiconductors 35,000 FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6
AFT18S230SR5 NXP Semiconductors 12 RF MOSFET LDMOS 28V NI-780S-6
AFT18S260W31GSR3 NXP Semiconductors 35,000 IC TRANS RF LDMOS
AFT18S260W31SR3 NXP Semiconductors 35,000 IC TRANS RF LDMOS
AFT18S290-13SR3 NXP Semiconductors 35,000 FET RF 65V 1.96GHZ NI-880X-2L4S