RV8C010UNHZGG2CR
- Производитель-деталь №
- RV8C010UNHZGG2CR
- Производитель
- ROHM Semiconductor
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- RV8C010UNHZGG2CR
- Описание
- MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
- lang_0071
- 5870
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- ROHM Semiconductor
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 1A (Ta)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 20 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- -
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- N-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- -
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 40 pF @ 10 V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 3-XFDFN
- Power Dissipation (Max) :
- 1W
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 470mOhm @ 500mA, 4.5V
- Supplier Device Package :
- DFN1010-3W
- Technology :
- MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) :
- ±8V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 1V @ 1mA
- lang_0258
- RV8C010UNHZGG2CR
