FDP3672

Производитель-деталь №
FDP3672
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FDP3672
Описание
MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
lang_0071
2400

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
5.9A (Ta), 41A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
105 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1670 pF @ 25 V
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Power Dissipation (Max) :
135W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33mOhm @ 41A, 10V
Supplier Device Package :
TO-220-3
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
lang_0258
FDP3672

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FDP3205 Fairchild Semiconductor 2,301 MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
FDP3205 onsemi 35,000 MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
FDP33N25 onsemi 4,665 MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
FDP34N33 onsemi 35,000 MOSFET N-CH 330V TO220-3
FDP3632 onsemi 35,000 MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
FDP3632 Fairchild Semiconductor 35,000 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDP3651U Fairchild Semiconductor 35,000 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FDP3651U onsemi 35,000 MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
FDP3652 onsemi 35,000 MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
FDP3652 Fairchild Semiconductor 35,000 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FDP3682 onsemi 7,594 MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3
FDP39N20 Fairchild Semiconductor 500 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDP39N20 onsemi 35,000 MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3