EPC8010

Производитель-деталь №
EPC8010
Производитель
EPC
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
EPC8010
Описание
GANFET N-CH 100V 4A DIE
lang_0071
26787

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
EPC
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
55 pF @ 50 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
Die
Power Dissipation (Max) :
-
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160mOhm @ 500mA, 5V
Supplier Device Package :
Die
Technology :
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) :
+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
lang_0258
EPC8010

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
EPC8002 EPC 35,000 GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC8004 EPC 2,431 GANFET N-CH 40V 4A DIE
EPC8009 EPC 14,038 GANFET N-CH 65V 4A DIE
EPC8QC100 Altera (Intel) 35,000 IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
EPC8QC100DM Altera (Intel) 35,000 IC CONFIG DEVICE
EPC8QC100N Altera (Intel) 35,000 IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
EPC8QI100 Altera (Intel) 35,000 IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
EPC8QI100N Altera (Intel) 35,000 IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP