A3I35D025NR1
- Производитель-деталь №
- A3I35D025NR1
- Производитель
- NXP Semiconductors
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- A3I35D025NR1
- Описание
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- NXP Semiconductors
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- Current - Test :
- -
- Current Rating (Amps) :
- -
- Frequency :
- 3.2GHz ~ 4GHz
- Gain :
- 27.8dB
- Noise Figure :
- -
- Package / Case :
- TO-270-17 Variant, Flat Leads
- Power - Output :
- 3.4W
- Product Status :
- Obsolete
- Supplier Device Package :
- TO-270WB-17
- Transistor Type :
- LDMOS
- Voltage - Rated :
- 28 V
- Voltage - Test :
- -
- lang_0258
- A3I35D025NR1
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| A3I35D012WGNR1 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
| A3I35D012WNR1 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
| A3I35D025GNR1 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| A3I35D025WGNR1 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
| A3I35D025WNR1 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
