
PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Производитель-деталь №
- PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Описание
- IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Infineon Technologies
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- Current - Test :
- 520 mA
- Current Rating (Amps) :
- 10µA
- Frequency :
- 1.805GHz ~ 1.88GHz
- Gain :
- 14.8dB
- Noise Figure :
- -
- Package / Case :
- H-49248H-4
- Power - Output :
- 29W
- Product Status :
- Obsolete
- Supplier Device Package :
- H-49248H-4
- Transistor Type :
- LDMOS
- Voltage - Rated :
- 65 V
- Voltage - Test :
- 28 V
- lang_0258
- PTAB182002TCV2R250XTMA1
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
PTAB182002FC-V1-R0 | Wolfspeed | 35,000 | IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4 |
PTAB182002FC-V1-R250 | Wolfspeed | 35,000 | IC AMP RF LDMOS |
PTAB182002TCV2R250XUMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IC AMP RF LDMOS |
PTAB182002TCV2XWSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 |
PTABA | Petoi / Bittle / Nybble | 35,000 | Clip-on rechargeable Li-ion batt |