A2V07H525-04NR6
- Производитель-деталь №
- A2V07H525-04NR6
- Производитель
- NXP Semiconductors
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- A2V07H525-04NR6
- Описание
- AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- NXP Semiconductors
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- Current - Test :
- 700 mA
- Current Rating (Amps) :
- 10µA
- Frequency :
- 595MHz ~ 851MHz
- Gain :
- 17.5dB
- Noise Figure :
- -
- Package / Case :
- OM-1230-4L
- Power - Output :
- 120W
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- OM-1230-4L
- Transistor Type :
- LDMOS
- Voltage - Rated :
- 105 V
- Voltage - Test :
- 48 V
- lang_0258
- A2V07H525-04NR6
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| A2V07H400-04NR3 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| A2V09H300-04NR3 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| A2V09H400-04NR3 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| A2V09H400-04NR3528 | NXP Semiconductors | 204 | RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| A2V09H400-04SR3 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| A2V09H525-04NR6 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
