A3I25D080GNR1
- Производитель-деталь №
- A3I25D080GNR1
- Производитель
- NXP Semiconductors
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- A3I25D080GNR1
- Описание
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- NXP Semiconductors
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- Current - Test :
- 175 mA
- Current Rating (Amps) :
- 10µA
- Frequency :
- 2.3GHz ~ 2.69GHz
- Gain :
- 29.2dB
- Noise Figure :
- -
- Package / Case :
- TO-270-17 Variant, Gull Wing
- Power - Output :
- 8.3W
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- TO-270WBG-17
- Transistor Type :
- LDMOS (Dual)
- Voltage - Rated :
- 65 V
- Voltage - Test :
- 28 V
- lang_0258
- A3I25D080GNR1
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| A3I20D040WGNR1 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
| A3I20D040WNR1 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
| A3I20X050GNR1 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
| A3I20X050NR1 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
| A3I25D080NR1 | NXP Semiconductors | 35,000 | AIRFAST RF LDMOS INTEGRATED POWE |
