IGN1011L70
- Производитель-деталь №
- IGN1011L70
- Производитель
- Integra Technologies
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- IGN1011L70
- Описание
- GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
- lang_0071
- 11
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Integra Technologies
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- Current - Test :
- 22 mA
- Current Rating (Amps) :
- -
- Frequency :
- 1.03GHz ~ 1.09GHz
- Gain :
- 22dB
- Noise Figure :
- -
- Package / Case :
- PL32A2
- Power - Output :
- 80W
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- PL32A2
- Transistor Type :
- GaN HEMT
- Voltage - Rated :
- 120 V
- Voltage - Test :
- 50 V
- lang_0258
- IGN1011L70
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| IGN1011L1200 | Integra Technologies | 15 | GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND |
| IGN1214L500B | Integra Technologies | 1 | GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND |
| IGN1214M300 | Integra Technologies | 10 | GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND |
