A2G35S200-01SR3
- Производитель-деталь №
- A2G35S200-01SR3
- Производитель
- NXP Semiconductors
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- A2G35S200-01SR3
- Описание
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- lang_0071
- 160
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- NXP Semiconductors
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- Current - Test :
- 291 mA
- Current Rating (Amps) :
- -
- Frequency :
- 3.4GHz ~ 3.6GHz
- Gain :
- 16.1dB
- Noise Figure :
- -
- Package / Case :
- NI-400S-2S
- Power - Output :
- 180W
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- NI-400S-2S
- Transistor Type :
- GaN HEMT
- Voltage - Rated :
- 125 V
- Voltage - Test :
- 48 V
- lang_0258
- A2G35S200-01SR3
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| A2G35S160-01SR3 | NXP Semiconductors | 223 | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
