DI9945T

Производитель-деталь №
DI9945T
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
DI9945T
Описание
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Diodes Incorporated
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
FET Feature :
Standard
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
435pF @ 25V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-
Power - Max :
2W
Product Status :
Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package :
8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id :
-
lang_0258
DI9945T

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • EPC
    GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
  • EPC
    GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
DI9942T Diodes Incorporated 926 MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
DI9952T Diodes Incorporated 78 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
DI9956T Diodes Incorporated 35,000 MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC