TT8M2TR

Производитель-деталь №
TT8M2TR
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
TT8M2TR
Описание
MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
ROHM Semiconductor
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V, 20V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
3.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
180pF @ 10V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
8-SMD, Flat Lead
Power - Max :
1.25W
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Supplier Device Package :
8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.5V @ 1mA
lang_0258
TT8M2TR

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • EPC
    GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
  • EPC
    GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
TT8M-T Diodes Incorporated 35,000 MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&R
TT8M1TR ROHM Semiconductor 1,148 MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
TT8M3TR ROHM Semiconductor 35,000 MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8