DN2625DK6-G

Производитель-деталь №
DN2625DK6-G
Производитель
Microchip Technology
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
DN2625DK6-G
Описание
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Microchip Technology
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
1.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
250V
FET Feature :
Depletion Mode
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
7.04nC @ 1.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 25V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-VDFN Exposed Pad
Power - Max :
-
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5Ohm @ 1A, 0V
Supplier Device Package :
8-DFN (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id :
-
lang_0258
DN2625DK6-G

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • EPC
    GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
  • EPC
    GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
DN2625K4-G Microchip Technology 35,000 MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252