QH8JA1TCR

Производитель-деталь №
QH8JA1TCR
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
QH8JA1TCR
Описание
20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET,
lang_0071
655

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
ROHM Semiconductor
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
5A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
FET Feature :
-
FET Type :
2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
10.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 10V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SMD, Flat Lead
Power - Max :
1.5W
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
38mOhm @ 5A, 4.5V
Supplier Device Package :
TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.2V @ 1mA
lang_0258
QH8JA1TCR

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • EPC
    GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
  • EPC
    GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
QH8JB5TCR ROHM Semiconductor 800 -40V DUAL PCH+PCH SMALL SIGNAL M
QH8JC5TCR ROHM Semiconductor 35,000 -60V DUAL PCH+PCH SMALL SIGNAL M