NP29N06QDK-E1-AY

Производитель-деталь №
NP29N06QDK-E1-AY
Производитель
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
NP29N06QDK-E1-AY
Описание
ABU / MOSFET
lang_0071
2470

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
FET Feature :
Standard
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 25V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
175°C
Package / Case :
8-PowerLDFN
Power - Max :
1W (Ta), 44W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package :
8-HSON (5x5.4)
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
lang_0258
NP29N06QDK-E1-AY

Продукты, связанные с производителем

  • Intersil (Renesas Electronics Corporation)
    CAPACITOR CERM
  • Intersil (Renesas Electronics Corporation)
    TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
  • Intersil (Renesas Electronics Corporation)
    TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
  • Intersil (Renesas Electronics Corporation)
    TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
  • Intersil (Renesas Electronics Corporation)
    TVS DIODE 4VWM MP6

Продукты, связанные с каталогом

  • EPC
    GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
  • EPC
    GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
NP29N04QUK-E1-AY Intersil (Renesas Electronics Corporation) 35,000 ABU / MOSFET
NP29N06QUK-E1-AY Intersil (Renesas Electronics Corporation) 35,000 ABU / MOSFET