FF6MR12KM1BOSA1

Производитель-деталь №
FF6MR12KM1BOSA1
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
FF6MR12KM1BOSA1
Описание
MEDIUM POWER 62MM
lang_0071
36

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
250A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200V (1.2kV)
FET Feature :
Standard
FET Type :
2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
496nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
14700pF @ 800V
Mounting Type :
Chassis Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
Module
Power - Max :
-
Product Status :
Last Time Buy
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.81mOhm @ 250A, 15V
Supplier Device Package :
AG-62MM
Vgs(th) (Max) @ Id :
5.15V @ 80mA
lang_0258
FF6MR12KM1BOSA1

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • EPC
    GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
  • EPC
    GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
FF6MR12KM1PHOSA1 Infineon Technologies 8 MEDIUM POWER 62MM
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies 1 MOSFET MODULE 1200V 200A
FF6MR12W2M1B70BPSA1 Infineon Technologies 35,000 LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon Technologies 25 MOSFET MODULE LOW POWER EASY