HR1F3P(0)-T1-AZ

Производитель-деталь №
HR1F3P(0)-T1-AZ
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
HR1F3P(0)-T1-AZ
Описание
HR1F3 - COMPOUND TRANSISTOR
lang_0071
25000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Renesas Electronics Corporation
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) :
1 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition :
-
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
TO-243AA
Power - Max :
2 W
Product Status :
Obsolete
Resistor - Base (R1) :
2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
10 kOhms
Supplier Device Package :
SC-62
Transistor Type :
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
350mV @ 10mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
60 V
lang_0258
HR1F3P(0)-T1-AZ

Продукты, связанные с производителем

  • Renesas Electronics Corporation
    NNCD9.1DA-T1-AT - ELECTROSTATIC
  • Renesas Electronics Corporation
    RD13SL-T1-A - ZENER DIODES 200 M
  • Renesas Electronics Corporation
    NNCD8.2DA-T1-AT - ELECTROSTATIC
  • Renesas Electronics Corporation
    NNCD39DA-T1-AT - ELECTROSTATIC D
  • Renesas Electronics Corporation
    NNCD3.6DA-T1-AT - ELECTROSTATIC

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары