
2N1131
- Производитель-деталь №
- 2N1131
- Производитель
- Microchip Technology
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- 2N1131
- Описание
- POWER BJT
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Microchip Technology
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 600 mA
- Current - Collector Cutoff (Max) :
- 10mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
- 20 @ 150mA, 10V
- Frequency - Transition :
- -
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature :
- -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Power - Max :
- 600 mW
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- TO-39 (TO-205AD)
- Transistor Type :
- PNP
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
- 1.3V @ 15mA, 150mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 40 V
- lang_0258
- 2N1131
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
2N1131 PBFREE | Central Semiconductor | 35,000 | TRANS PNP 50V 0.6A TO39 |
2N1131A PBFREE | Central Semiconductor | 35,000 | TRANS PNP 40V TO39 |
2N1131B PBFREE | Central Semiconductor | 35,000 | TRANS TO39 |
2N1131L | Microchip Technology | 35,000 | POWER BJT |