2N1131

Производитель-деталь №
2N1131
Производитель
Microchip Technology
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
2N1131
Описание
POWER BJT
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Microchip Technology
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
20 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition :
-
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case :
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Power - Max :
600 mW
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type :
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
1.3V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
40 V
lang_0258
2N1131

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
2N1131 PBFREE Central Semiconductor 35,000 TRANS PNP 50V 0.6A TO39
2N1131A PBFREE Central Semiconductor 35,000 TRANS PNP 40V TO39
2N1131B PBFREE Central Semiconductor 35,000 TRANS TO39
2N1131L Microchip Technology 35,000 POWER BJT