
IGB03N120H2ATMA1616
- Производитель-деталь №
- IGB03N120H2ATMA1616
- Производитель
- Infineon Technologies
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- IGB03N120H2ATMA1616
- Описание
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Infineon Technologies
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- -
- Current - Collector Cutoff (Max) :
- -
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
- -
- Frequency - Transition :
- -
- Mounting Type :
- -
- Operating Temperature :
- -
- Package / Case :
- -
- Power - Max :
- -
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- -
- Transistor Type :
- -
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
- -
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- -
- lang_0258
- IGB03N120H2ATMA1616
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
IGB01N120H2ATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2 |
IGB03N120H2ATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3 |