IGB03N120H2ATMA1616

Производитель-деталь №
IGB03N120H2ATMA1616
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
IGB03N120H2ATMA1616
Описание
POWER BIPOLAR TRANSISTOR
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
-
Current - Collector Cutoff (Max) :
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
-
Frequency - Transition :
-
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-
Package / Case :
-
Power - Max :
-
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
-
Transistor Type :
-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
-

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IGB01N120H2ATMA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
IGB03N120H2ATMA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3