2N1482

Производитель-деталь №
2N1482
Производитель
Harris Corporation
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
2N1482
Описание
TRANS NPN 55V 1.5A TO5AA
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Harris Corporation
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
35 @ 200mA, 4V
Frequency - Transition :
-
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case :
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Power - Max :
1 W
Product Status :
Obsolete
Supplier Device Package :
TO-5AA
Transistor Type :
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
750mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
55 V
lang_0258
2N1482

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
2N1479 Microchip Technology 35,000 TRANS NPN 40V 1.5A TO5
2N1480 Microchip Technology 35,000 TRANS NPN 55V 1.5A TO5
2N1480 PBFREE Central Semiconductor 1,797 TRANS NPN 55V 1.5A TO-39
2N1481 Microchip Technology 35,000 TRANS NPN 40V 1.5A TO5
2N1482 Microchip Technology 35,000 TRANS NPN 55V 1.5A TO5
2N1483 Microchip Technology 35,000 TRANS NPN 40V 3A TO8
2N1484 Microchip Technology 35,000 TRANS NPN 55V 3A TO8
2N1485 Microchip Technology 35,000 TRANS NPN 40V 3A TO8
2N1486 Microchip Technology 35,000 TRANS NPN 55V 3A TO8
2N1487 Microchip Technology 35,000 POWER BJT
2N1488 Microchip Technology 35,000 POWER BJT
2N1489 Microchip Technology 35,000 POWER BJT
2N1490 Microchip Technology 35,000 POWER BJT