2SC6017-TL-E

Производитель-деталь №
2SC6017-TL-E
Производитель
onsemi
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
2SC6017-TL-E
Описание
TRANS NPN 50V 10A TPFA
lang_0071
3080

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
onsemi
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
10 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition :
200MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max :
950 mW
Product Status :
Obsolete
Supplier Device Package :
TP-FA
Transistor Type :
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
360mV @ 250mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50 V
lang_0258
2SC6017-TL-E

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
2SC6010(T2MITUM,FM Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 35,000 TRANS NPN 600V 1A MSTM
2SC6011 Sanken Electric Co., Ltd. 905 TRANS NPN 200V 15A TO3P
2SC6011A Sanken Electric Co., Ltd. 35,000 TRANS NPN 230V 15A TO3P
2SC6014-TD-E onsemi 22,000 BIP NPN 5A 30V
2SC6015-TD-E onsemi 35,000 BIP NPN 9A 15V
2SC6016-TD-E Sanyo 990 NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC6017-E onsemi 1,224 TRANS NPN 50V 10A TP
2SC6017-H-TL-E Sanyo 35,000 NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC6017-H-TL-E onsemi 35,000 IC REG LINEAR
2SC6017-TL-EX onsemi 35,000 TRANS NPN 50V 10A TPFA
2SC6023-TR-E onsemi 39,000 NPN 35MA 3.5V FT=14.5G
2SC6024-TL-E onsemi 16,000 BIP NPN 35MA 3.5V FT=14G
2SC6026CT-GR,L3F Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 13,900 TRANS NPN 50V 0.1A CST3
2SC6026CT-Y(TPL3) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 35,000 TRANS NPN 50V 0.1A CST3
2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 35,000 TRANS NPN 50V 0.15A VESM