BGB 540 E6327
- Производитель-деталь №
- BGB 540 E6327
- Производитель
- Infineon Technologies
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- BGB 540 E6327
- Описание
- RF TRANS NPN 3.5V SOT343-4
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Infineon Technologies
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 30mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
- -
- Frequency - Transition :
- -
- Gain :
- 16dB ~ 17.5dB
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Noise Figure (dB Typ @ f) :
- 1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- Operating Temperature :
- 150°C (TJ)
- Package / Case :
- SC-82A, SOT-343
- Power - Max :
- 120mW
- Product Status :
- Obsolete
- Supplier Device Package :
- PG-SOT343-3D
- Transistor Type :
- NPN
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 3.5V
- lang_0258
- BGB 540 E6327
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| BGB 420 E6327 | Infineon Technologies | 35,000 | IC AMP 802.15 100MHZ-3GHZ SOT343 |
| BGB203H1S06UM | NXP Semiconductors | 35,000 | IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 48VFQFN |
| BGB707L7ESDE6327XTSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IC RF AMP 802.11A/B/G/N TSLP7-1 |
| BGB717L7ESDE6327 | Infineon Technologies | 132,804 | NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER, |
| BGB717L7ESDE6327XTSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | IC AMP FM 76MHZ-108MHZ TSLP7-1 |
| BGB719N7ESDE6327 | Infineon Technologies | 102,572 | IC AMP MMIC RF FM RADIO |
| BGB719N7ESDE6327XTMA1 | Infineon Technologies | 2,451 | IC RF AMP FM 10MHZ-1GHZ TSNP7-6 |
| BGB741L7ESDE6327XTSA1 | Infineon Technologies | 147,158 | IC AMP CELL 50MHZ-3.5GHZ TSLP7-1 |
