2N1725

Производитель-деталь №
2N1725
Производитель
Microchip Technology
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
2N1725
Описание
POWER BJT
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Microchip Technology
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Current - Collector (Ic) (Max) :
5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
50 @ 2A, 15V
Frequency - Transition :
-
Gain :
-
Mounting Type :
Stud Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
-
Operating Temperature :
175°C (TJ)
Package / Case :
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Power - Max :
3W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
TO-61
Transistor Type :
3 NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
80V
lang_0258
2N1725

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
2N1700 Harris Corporation 35,000 NPN TRANSISTOR
2N1700 Microchip Technology 35,000 NPN TRANSISTOR
2N1701 Microchip Technology 35,000 NPN TRANSISTOR
2N1702 Microchip Technology 35,000 NPN TRANSISTOR
2N1711 Solid State Inc. 4,600 TRANS NPN 130V 1A TO39
2N1711 Microchip Technology 35,000 TRANS NPN 50V 0.5A TO5
2N1711 STMicroelectronics 35,000 TRANS NPN 50V 0.5A TO39
2N1711 PBFREE Central Semiconductor 2,044 TRANS NPN 50V 0.5A TO39
2N1711S Microchip Technology 35,000 NPN TRANSISTOR
2N1714 Microchip Technology 35,000 POWER BJT
2N1714S Microchip Technology 35,000 POWER BJT
2N1715 Microchip Technology 35,000 POWER BJT
2N1715S Microchip Technology 35,000 POWER BJT
2N1716 Microchip Technology 35,000 POWER BJT
2N1716S Microchip Technology 35,000 POWER BJT