BFR750L3RHE6327

Производитель-деталь №
BFR750L3RHE6327
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
BFR750L3RHE6327
Описание
RF BIPOLAR TRANSISTOR
lang_0071
37286

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Current - Collector (Ic) (Max) :
90mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
160 @ 60mA, 3V
Frequency - Transition :
37GHz
Gain :
21dB
Mounting Type :
Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
SC-101, SOT-883
Power - Max :
360mW
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
PG-TSLP-3
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
4.7V
lang_0258
BFR750L3RHE6327

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
BFR720L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies 35,000 RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ TSLP-3
BFR740EL3E6829XTSA1 Infineon Technologies 465,000 RF BIP TRANSISTORS
BFR740EL3E6829XTSA1 Infineon Technologies 35,000 RF BIP TRANSISTORS
BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies 6,274 RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3
BFR750L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies 35,000 RF TRANS NPN 4.7V 37GHZ TSLP-3