EMG11T2R
- Производитель-деталь №
- EMG11T2R
- Производитель
- ROHM Semiconductor
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- EMG11T2R
- Описание
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- ROHM Semiconductor
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 100mA
- Current - Collector Cutoff (Max) :
- 500nA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
- 80 @ 10mA, 5V
- Frequency - Transition :
- 250MHz
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Package / Case :
- 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
- Power - Max :
- 150mW
- Product Status :
- Active
- Resistor - Base (R1) :
- 2.2kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2) :
- 47kOhms
- Supplier Device Package :
- EMT5
- Transistor Type :
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
- 300mV @ 250µA, 5mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 50V
- lang_0258
- EMG11T2R
