UMX1N

Производитель-деталь №
UMX1N
Производитель
YANGJIE
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
UMX1N
Описание
SOT-363 NPN+NPN 0.2W 0.15A 60V T
lang_0071
15000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
YANGJIE
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Current - Collector (Ic) (Max) :
150mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition :
180MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max :
150mW
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
SOT-363
Transistor Type :
2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
lang_0258
UMX1N

Продукты, связанные с производителем

  • YANGJIE
    SOD-123FL 200W 9.2V 21.74A TVS
  • YANGJIE
    SOD-323 Bi 11V 7A TVS Diodes ES
  • YANGJIE
    SOD-123FL 200W 45.4V 4.41A TVS
  • YANGJIE
    SOD-123FL 200W 162V 1.23A TVS D
  • YANGJIE
    SOD-123FL 200W 162V 1.23A TVS D

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
UMX1089-GM2 Microchip Technology 35,000 SI PPIN NON HERMETIC PLASTIC SMT
UMX1089SM Microchip Technology 35,000 SI PPIN HERMETIC MELF
UMX1089SM/TR Microchip Technology 35,000 SI PPIN HERMETIC MELF
UMX18NTN ROHM Semiconductor 35,000 TRANS 2NPN 12V 0.5A 6UMT
UMX1NFHATN ROHM Semiconductor 46 NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
UMX1NTN ROHM Semiconductor 5,353 TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT