BZD17C33P-E3-18

Производитель-деталь №
BZD17C33P-E3-18
Производитель
Vishay
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
BZD17C33P-E3-18
Описание
DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Vishay
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Zener - Single
Current - Reverse Leakage @ Vr :
1 µA @ 24 V
Impedance (Max) (Zzt) :
-
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
DO-219AB
Power - Max :
800 mW
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
DO-219AB (SMF)
Tolerance :
-
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.2 V @ 200 mA
Voltage - Zener (Nom) (Vz) :
33 V
lang_0258
BZD17C33P-E3-18

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
BZD17C100P M2G Taiwan Semiconductor 35,000 DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
BZD17C100P MHG Taiwan Semiconductor 35,000 DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
BZD17C100P MQG Taiwan Semiconductor 35,000 DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
BZD17C100P MTG Taiwan Semiconductor 35,000 DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
BZD17C100P R3G Taiwan Semiconductor 35,000 DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
BZD17C100P RFG Taiwan Semiconductor 35,000 DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
BZD17C100P RHG Taiwan Semiconductor 35,000 DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
BZD17C100P RQG Taiwan Semiconductor 35,000 DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
BZD17C100P RTG Taiwan Semiconductor 35,000 DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
BZD17C100P RUG Taiwan Semiconductor 35,000 DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
BZD17C100P RVG Taiwan Semiconductor 35,000 DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
BZD17C100P-E3-08 Vishay 35,000 DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB
BZD17C100P-E3-18 Vishay 35,000 DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB
BZD17C10P-E3-08 Vishay 35,000 DIODE ZENER 10V 800MW DO219AB
BZD17C10P-E3-18 Vishay 35,000 DIODE ZENER 10V 800MW DO219AB