BZD27C12PWH
- Производитель-деталь №
- BZD27C12PWH
- Производитель
- Taiwan Semiconductor
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- BZD27C12PWH
- Описание
- DIODE ZENER 12V 1W SOD123W
- lang_0071
- 3364
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Taiwan Semiconductor
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Diodes - Zener - Single
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 3 µA @ 9.1 V
- Impedance (Max) (Zzt) :
- 7 Ohms
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case :
- SOD-123W
- Power - Max :
- 1 W
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- SOD-123W
- Tolerance :
- ±5%
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 1 V @ 200 mA
- Voltage - Zener (Nom) (Vz) :
- 12 V
- lang_0258
- BZD27C12PWH
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
BZD27B100P-E3-08 | Vishay | 35,000 | DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB |
BZD27B100P-E3-18 | Vishay | 35,000 | DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB |
BZD27B100P-HE3-08 | Vishay | 35,000 | DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB |
BZD27B100P-HE3-18 | Vishay | 35,000 | DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB |
BZD27B100P-M3-08 | Vishay | 35,000 | DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB |
BZD27B100P-M3-18 | Vishay | 35,000 | DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB |
BZD27B10P-E3-08 | Vishay | 35,000 | DIODE ZENER 10V 800MW DO219AB |
BZD27B10P-E3-18 | Vishay | 35,000 | DIODE ZENER 10V 800MW DO219AB |
BZD27B10P-HE3-08 | Vishay | 35,000 | DIODE ZENER 10V 800MW DO219AB |
BZD27B10P-HE3-18 | Vishay | 35,000 | DIODE ZENER 10V 800MW DO219AB |
BZD27B10P-M3-08 | Vishay | 425 | DIODE ZENER 10V 800MW DO219AB |
BZD27B10P-M3-18 | Vishay | 35,000 | DIODE ZENER 10V 800MW DO219AB |
BZD27B110P-E3-08 | Vishay | 35,000 | DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB |
BZD27B110P-E3-18 | Vishay | 35,000 | DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB |
BZD27B110P-HE3-08 | Vishay | 35,000 | DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB |