BB804SF1E6327
- Производитель-деталь №
- BB804SF1E6327
- Производитель
- Infineon Technologies
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- BB804SF1E6327
- Описание
- VARIABLE CAPACITANCE DIODE
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Infineon Technologies
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Diodes - Variable Capacitance (Varicaps, Varactors)
- Capacitance @ Vr, F :
- 47.5pF @ 2V, 1MHz
- Capacitance Ratio :
- 1.71
- Capacitance Ratio Condition :
- C2/C8
- Diode Type :
- 1 Pair Common Cathode
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 125°C
- Package / Case :
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Product Status :
- Active
- Q @ Vr, F :
- 200 @ 2V, 100MHz
- Supplier Device Package :
- PG-SOT23
- Voltage - Peak Reverse (Max) :
- 18 V
- lang_0258
- BB804SF1E6327
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| BB804,215 | NXP Semiconductors | 35,000 | DIODE VHF VAR CAP DUAL SOT23 |
| BB804SF1E6327HTSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23 |
| BB804SF2E6327 | Infineon Technologies | 72,930 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| BB804SF2E6327HTSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23 |
| BB8062N | TE Connectivity Laird | 35,000 | WHIP MC 1/2 806-866MHZ 2.4 BK |
| BB8063 | TE Connectivity Laird | 35,000 | RF ANT 836MHZ WHIP STR NMO BASE |
| BB8063S | TE Connectivity Laird | 35,000 | RF ANT 836MHZ WHIP STR NMO BASE |
| BB8065C | TE Connectivity Laird | 35,000 | RF ANT 836MHZ WHIP STR BASE MT |
| BB8065CN | TE Connectivity Laird | 35,000 | WHIP MC CC 806-866MHZ 5 BK NGP |
| BB8065CNS | TE Connectivity Laird | 35,000 | WHIP MC CC 806-866MHZ 5 BK NGP |
| BB8065CR | TE Connectivity Laird | 35,000 | RF ANT 836MHZ WHIP STR NMO BASE |
| BB8065CS | TE Connectivity Laird | 35,000 | RF ANT 836MHZ WHIP STR NMO BASE |
