S1JHE3/61T

Производитель-деталь №
S1JHE3/61T
Производитель
Vishay
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
S1JHE3/61T
Описание
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Vishay
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
1A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
1 µA @ 600 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
DO-214AC, SMA
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
1.8 µs
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
DO-214AC (SMA)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.1 V @ 1 A
lang_0258
S1JHE3/61T

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
S1JH Taiwan Semiconductor 35,000 DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
S1JHE onsemi 243,410 DIODE GEN PURP 600V 1A SOD323HE
S1JHE3/5AT Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
S1JHE3_A/H Vishay 210,671 DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
S1JHE3_A/I Vishay 74,174 DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
S1JHM3/61T Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
S1JHM3_A/H Vishay 35,000 1A, 600V, SMA, STD GPP SM RECT
S1JHR3G Taiwan Semiconductor 35,000 DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC