S4PJHM3_A/I

Производитель-деталь №
S4PJHM3_A/I
Производитель
Vishay
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
S4PJHM3_A/I
Описание
DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Vishay
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
4A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
10 µA @ 600 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
TO-277, 3-PowerDFN
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
2.5 µs
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-277A (SMPC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.1 V @ 4 A
lang_0258
S4PJHM3_A/I

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
S4PJ-M3/86A Vishay 70 DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
S4PJ-M3/87A Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
S4PJHM3/86A Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
S4PJHM3/87A Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
S4PJHM3_A/H Vishay 3,001 DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A