IMBD4448-HE3-18

Производитель-деталь №
IMBD4448-HE3-18
Производитель
Vishay
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
IMBD4448-HE3-18
Описание
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Vishay
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
150mA
Current - Reverse Leakage @ Vr :
2.5 µA @ 70 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
150°C (Max)
Package / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
4 ns
Speed :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Supplier Device Package :
SOT-23-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1 V @ 10 mA
lang_0258
IMBD4448-HE3-18

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IMBD4148-E3-08 Vishay 58,304 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
IMBD4148-E3-18 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
IMBD4148-G3-08 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
IMBD4148-G3-18 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
IMBD4148-HE3-08 Vishay 17,987 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
IMBD4148-HE3-18 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
IMBD4448-E3-08 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
IMBD4448-E3-18 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
IMBD4448-G3-08 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
IMBD4448-G3-18 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
IMBD4448-HE3-08 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23