46DN06B02ELEMXPSA1

Производитель-деталь №
46DN06B02ELEMXPSA1
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
46DN06B02ELEMXPSA1
Описание
POWER DIODE BG-D_ELEM-1
lang_0071
20

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
10450A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
40 mA @ 600 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Chassis Mount
Operating Temperature - Junction :
180°C (Max)
Package / Case :
DO-200AC, K-PUK
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
BG-D-ELEM-1
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
980 mV @ 6000 A
lang_0258
46DN06B02ELEMXPSA1

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
46DN06B02ELEMPRXPSA1 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 600V
46DN06ELEMXPSA1 Infineon Technologies 6 STD THYR/DIODEN DISC